IS43LD32640C-25BLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Deutsch
Artikelnummer: | IS43LD32640C-25BLI-TR |
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Hersteller / Marke: | Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) |
Teil der Beschreibung.: | 2G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 64Mx32, 40 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | 15ns |
Spannungsversorgung | 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V |
Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 |
Supplier Device-Gehäuse | 134-TFBGA (10x11.5) |
Serie | - |
Verpackung / Gehäuse | 134-TFBGA |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TC) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Speichertyp | Volatile |
Speichergröße | 2Gbit |
Speicherorganisation | 64M x 32 |
Speicherschnittstelle | HSUL_12 |
Speicherformat | DRAM |
Uhrfrequenz | 400 MHz |
Zugriffszeit | 5.5 ns |
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134TFBGA
2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.
2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.
256M, 1.2/1.8V, LPDDR2, 8Mx32, 4
256M, 1.2/1.8V, LPDDR2, 8Mx32, 4
IC DRAM 2GBIT LVSTL 200TFBGA
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134TFBGA
2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168VFBGA
2G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168VFBGA
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134TFBGA
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168VFBGA
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134TFBGA
2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168VFBGA
2G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 64Mx32, 40
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134TFBGA
2G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4
2G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() IS43LD32640C-25BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
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